Warning: Creating default object from empty value in /home/chiporta/public_html/plugins/system/advancedmodules/modulehelper.php on line 320

אם לא יוקם בקרוב מפעל שבבים בהודו המדינה תצטרך לייבא ב-2020 שבבים בשווי המשתווה ליבוא הנפט

גרסת הדפסה

india_institute_of_technology
המכון הטכנולוגי של הודו

ההחלטה המתעכבת זמן רב על בחירת המשקיע הזר לבניית מפעל הייצור של פרוסות סיליקון הראשון בהודו עשויה להתפרסם בקרוב.

גורמים בהודו מסרו כי הממשלה, שפנתה למשקיעים ונותני שירות בתחום הטכנולוגי שגילו עניין במפעל עוד בשנת 2011, "שוקלת בזהירות" את ההצעות לפני קבלת ההחלטה סופית.  אג'יי קומאר, מזכיר משותף במחלקה לאלקטרוניקה וטכנולוגיית מידע, אמר באירוע שאורגן על ידי איגוד תעשיות האלקטרוניקה של הודו כי הקמת המפעל תביא לפיתוח של מערכת אקולוגית שתספק כר נוח לייצור רכיבים אלקטרוניים באופן טבעי.

"ברור שמדובר בפרויקט עתיר הון מאוד, ואנחנו צריכים לשקול היבטים רבים לפני קבלת החלטה", הוסיף קומאר.

מקור בתעשייה העריך כי הקמת מתקן ייצור המוליכים למחצה יעלה כל סכום בין 2 ל-6 מיליארד דולרים בהתאם לאופי השבבים שייוצרו." בפברואר אמר קומאר כי ההכרזה אמורה להיעשות עוד לפני סוף מרץ. היה זה בטקס הקמת קרן הון הסיכון הפרטית הראשונה במסגרת הקרן לפיתוח אלקטרוני  (NEP),. דבריו נאמרו במרכז החדש למצוינות בIT של מומבאי, המתמחה בביטחון פנים שהוקם בשיתוף עם המגזר הפרטי.  במרכז מפתחים טלפונים המסוגלים לעבוד טוב יותר בג'ונגלים עבותים, ומכ"מים חדישים.

ההערכה היא שהמפעל יקום בבנגלור.

באותו הנושא

 

 


עוד בתחום ייצור - FABS

Warning: Creating default object from empty value in /home/chiporta/public_html/modules/mod_filterednews/helper.php on line 247

Warning: Creating default object from empty value in /home/chiporta/public_html/modules/mod_filterednews/helper.php on line 247

כתבות נוספות בתחום

‫יצור (‪(FABs‬‬
STMicroelectronics תוסיף 1.5 מיליארד דולר להשקעות ההון שלה השנה
בין היתר תשקיע החברה השקעות אסטרטגיות בסכום של 400 מיליון דולר במפעל שלה בהאגרייט; בפרוסות 200 מ"מ ובטכנולוגיות סיליקון קרביד
קרא עוד
‫יצור (‪(FABs‬‬
סמסונג תשקיע למעלה מ-100 מיליארד כדי להתחרות ב-TSMC
לקוחות מדווחים כי סמסונג חתכה את מחירי הייצור כדי למשוך אותם לעזוב את TSMC ולעבור אליה.
קרא עוד