Warning: Creating default object from empty value in /home/chiporta/public_html/plugins/system/advancedmodules/modulehelper.php on line 320

סמסונג ו-ST חוברות לפיתוח טכנולוגית 28nm FD-SOI

מאת אבי בליזובסקי ראשון, 18 מאי 2014 00:49
גרסת הדפסה

ST_LOGO


בצעד שעשוי להאריך את חיי טכנולוגית 28 ננומטר ולמשוך יצרנים של מערכות לבישות חסכוניות באנרגיה אך גם בעלות מרווח מצומצם וכן יצרניות טלפונים חכמים, חברו יצרנית השבים האירופית ST מיקרואלקטרוניקס וסמסונג הקוריאנית ופיתחו תהליך ייצור 28nm FD-SOI (fully depleted silicon on insulator).

בהסכם שנחתם ביום רביעי (14 במאי) רוכשת סמסונג מ-ST את פלטפורמת התכנון 28nm FD-SOI  שיסייעו לה לייעל את שירותי הייצור ולהפוך אותם זמינים למגוון רחב יותר של גורמים בתעשית השבבים. יתרה מכך, שני היצרנים הסכימו לשמר תאימות בתהליך התכנון.

סמסונג מביאה לתהליך זה יכולת ייצור אמינה, שהחברות מקוות כי תעודד את המתכננים לאמץ את התהליך. בעוד ST כבר מסוגלת לייצר ייצור המוני במתקניה בקרולס, החברות נדרשות לספק נפח ייצור נוסף. "ST לא יכולה לתמוך בתהליך 28nm FD-SOI לבדה ולכן היא חייבת פרטנר" אומר לן ילינק, מנהל המחקר בחברת IHS לתחום ייצור השבבים בראיון ל-EE Times. "בחירה בסמסונג היא צעד הגיוני".
לידיעה ב-EE Times


עוד בתחום ייצור - FABS

Warning: Creating default object from empty value in /home/chiporta/public_html/modules/mod_filterednews/helper.php on line 247

Warning: Creating default object from empty value in /home/chiporta/public_html/modules/mod_filterednews/helper.php on line 247

כתבות נוספות בתחום

‫יצור (‪(FABs‬‬
STMicroelectronics תוסיף 1.5 מיליארד דולר להשקעות ההון שלה השנה
בין היתר תשקיע החברה השקעות אסטרטגיות בסכום של 400 מיליון דולר במפעל שלה בהאגרייט; בפרוסות 200 מ"מ ובטכנולוגיות סיליקון קרביד
קרא עוד
‫יצור (‪(FABs‬‬
סמסונג תשקיע למעלה מ-100 מיליארד כדי להתחרות ב-TSMC
לקוחות מדווחים כי סמסונג חתכה את מחירי הייצור כדי למשוך אותם לעזוב את TSMC ולעבור אליה.
קרא עוד