Warning: Creating default object from empty value in /home/chiporta/public_html/plugins/system/advancedmodules/modulehelper.php on line 320

יבמ משדרגת מפעל שבבי RF בורמונט

מאת EE Times חמישי, 12 יוני 2014 00:12
גרסת הדפסה

IBM_FAST_CHIP
שבב מהיר של יבמ. תמונת יח"צ

יבמ משדרגת מפעל לתהליכי סיליקון על מבודד, וסיליקון גרמניום, במטרה להגדיל את חלקה בעסקי הייצור של שבבי RF שרבים מרכיביהם מיוצרים היום בתהליך האקזוטי המערב גליון ארסנייד.

זאת למרות שהחטיבה נמצאתתחת ענני דיווחים לפיהם הנהלת יבמ שוקלת למכור את חטיבת השבבים.
שני התהליכים החדשים ירוצו במפעל של יבמ בברלינגטון, ורמונט, המבצע אך ורק עבודות ייצור. המפעל, בטכנולוגית 200 ננומטר שימש בעבר לייצור מעבדים ושבבים נלווים לשרתי יבמ, אך העבודה הועברה למפעל 300 מילימטר במזרח פישקיל, ניו יורק.

המפעל בברלינגטון תומך בסוגים רבים של תהליכי CMOS, סיליקון על מבודד (SOI) וסיליקון גרמניום (SiGe) למגוון רחב של לקוחות. הוא מתמקד במעט מתקונים כגון תהליכי SOI לייצור שבבי RF, תהליך המייצג כיום את החלק העיקרי והגדל של עסקי יבמ.

יבמ לא סיפקה פרטים על המפעל בדוחותיה, ואולם אמרה כי מכרה קרוב ל-7 מיליארד שבבי SOI עבור מכשירים ניידים ותחנות בסיס מאז החלה לייצר את הפריט לפני ארבע שנים, שלושה מיליארד מהם נמכרו השנה.

לידיעה ב-EE Times
.
עוד בתחום ייצור - FABS

Warning: Creating default object from empty value in /home/chiporta/public_html/modules/mod_filterednews/helper.php on line 247

Warning: Creating default object from empty value in /home/chiporta/public_html/modules/mod_filterednews/helper.php on line 247

כתבות נוספות בתחום

‫יצור (‪(FABs‬‬
STMicroelectronics תוסיף 1.5 מיליארד דולר להשקעות ההון שלה השנה
בין היתר תשקיע החברה השקעות אסטרטגיות בסכום של 400 מיליון דולר במפעל שלה בהאגרייט; בפרוסות 200 מ"מ ובטכנולוגיות סיליקון קרביד
קרא עוד
‫יצור (‪(FABs‬‬
סמסונג תשקיע למעלה מ-100 מיליארד כדי להתחרות ב-TSMC
לקוחות מדווחים כי סמסונג חתכה את מחירי הייצור כדי למשוך אותם לעזוב את TSMC ולעבור אליה.
קרא עוד