Globalfoundries מכינה תהליך FDSOI ב-12 ננומטר; חלופה ל- FinFET |
|
|
מאת אבי בליזובסקי
רביעי, 14 ספטמבר 2016 00:33
|
 |
Globalfoundries מכינה תהליך FDSOI ב-12 ננומטר; חלופה ל- FinFET |
|
|
מאת אבי בליזובסקי
רביעי, 14 ספטמבר 2016 00:33
|
|
 |
Globalfoundries Inc. הכריזה על תהליך FDSOI מהדור הבא כהמשך לתהליך ה-22FDX שמתקרב לייצור. החברה גם הכריזה על הנוכחות של חברות ה-EDA ו-IP קדנס וסינופסיס במסגרת תוכנית סביבת הפיתוח FDXelerator עבור FDSOI.
FDSOI, שמשמעו סיליקון מדולדל במלואו על מבודד, הוא חלופה לסגנון ייצור השבבים FinFET המועדף על אינטל ויצרנית השבבים TSMC. רוב המחקר לגבי SOI (סיליקון על מבודד) בוצע על ידי IBM לפני שהועבר הלאה ל-STMicroelectronics. עכשיו סמסונג ב-28nm ו-Globalfoundries ב-22nm עובדות על הבאת FDSOI לייצור. החברות טוענות של-FDSOI, למרות שהתכנון של הפרוסות שמשמשות נקודת פתיחה יותר יקר, יש יתרונות מבחינת מדרגיות ממתח נמוך והספק נמוך ועד לביצועים גבוהים.
תהליך ה-12FDX, נומינלי בגיאומטריה מינימלית של 12nm, מיועד לאפשר את הבינה ממחשבים ניידים וקישוריות 5G ועד לבינה מלאכותית ורכב אוטונומי. ראוי לציין ש-STMicroelectronics הפסידה זכיית תכנון אצל השותפה הוותיקה מובילאיי שנמשכה ל-FinFET 10nm לשבבים שלה מסדרת EyeQ.
תהליך ה-12FDX, בטכנולוגיית ייצור 12 ננומטר, מאפשר להעלות את הביצועים ומונע את הצורך בהדפס (patterning) משולש ומרובע וליתוגרפיה באולטרה- סגול קיצוני, אמר רוטגר ויבורג, המנהל הכללי של מפעל הפרוסות של Globalfoundries בדרזדן שם מפתחים את FDSOI. "אם בוחנים את הביצועים עם 22FDX עם הטיה לאחור הם אותו הדבר כמו התהליך 16/14nm FinFET או יותר טובים. עם 12FDX עם הטיה לאחור מקבלים תהליכי FinFET טובים יותר מ-10nm" הוא אמר ל-EE Times Europe.
בקיצור, 12FDX מציע ביצועים של 10nm FinFET עם צריכת חשמל טובה יותר ועלות נמוכה יותר מאשר 16nm FinFET.
|
