נאניה שוקלת לפתח טכנולוגיית DRAM 10nm בתוך החברה |
|
מאת אבי בליזובסקי
ראשון, 13 אוגוסט 2017 00:27
|
![]() |
![]() |
נאניה טכנולוגיות קיבלה רישיון לטכנולוגיות DRAM 1x ו-1y ממיקרון טכנולוגיות, והיא שוקלת לפתח תהליךDRAM 10nmבתוך החברה, לדברי יצרנית ה-DRAM הטאיוואנית.
נאניה הגיעה בעבר לעסקה עם מיקרון לקבל אופציות לזכויות שימוש בטכנולוגיות ה-DRAM 1x ו-1y של היצרנית האמריקנית, כשהודיעה על השתתפותה בהנפקה הפרטית של מיקרון.
נאניה שוקלת לפתח תהליך 10nm בתוך החברה, אבל גם שותפי פיתוח יתקבלו בברכה, אמרו בנאניה, והוסיפו ששותפים מסין לא סבירים בנסיבות הנוכחיות.
בסין יש שלוש חברות שבבי זיכרון שעוסקות בפיתוח טכנולוגיות משלהן. Yangtze River Storage Technology (YMTC) במסגרת Tsinghua Unigroup צופה שתהיה לה יכולת ייצור המוני של שבבי NAND עם 64 שכבות ב-2019, ואילו Fujian Jin Hua Integrated Circuit ו-Hefei Rui-Li Integrated Circuit מתכוונות שתיהן לפתח טכנולוגיות תהליכים משלהן ליצור DRAM.
Fujian Jin Hua נעזרת ב-United Microelectronics (UMC) הטאיוואנית בפיתוח של טכנולוגיות DRAM 3Xnm ו-2Xnm והדור הראשון של 3Xnm יהיה מוכן לייצור כמותי כש-Jin Hua תתחיל להפעיל את מפעל ה-12 אינטש החדש שלה עד סוף 2018.
Rui-Li, שנקראה בעבר Hefei Chang Xin, תתחיל לפי הדיווחים להתקין ציוד במפעל ה-12 אינטש החדש שלה עד סוף 2017, לפני המועד המתוכנן. המפעל ייכנס ישירות לייצור של שבבי DRAM 19nm, ו-Rui-Li צפויה להתחיל לייצר את האצווה הראשונה של מוצרי DRAM באמצעות טכנולוגיית הצומת בסוף פברואר 2018, כך אמרו מקורות בענף שצוטטו בדיווחים קודמים.
נאניה היא עוד שחקנית שמביעה כוונות לפתח טכנולוגיה לייצור DRAM בתוך החברה. המובילים כיום בשוקי הפלאש DRAM ו-NAND הגלובליים הם יצרנים שכוללים את סמסונג, SK Hynix, טושיבה, מיקרון ואינטל שמחזיקים טכנולוגיות פטנטיות חשובות לייצור שבבי הזיכרון.
בחדשות אחרות, ההסכם של יצרנית השבבים לפי חוזה Powerchip Technology עם Kingston Technology שבמסגרתו קינגסטון רכשה ציוד ומתקנים למפעל 12 אינטש מפאוורצ'יפ כדי לשמור קיבולת ייצור שמוערכת ב-20,000 פרוסות בחודש יפקע בספטמבר 2017. פאוורצ'יפ דיווחה על תוכניות לקנות בחזרה ציוד ומתקנים מקינגסטון ולשאת ולתת מחדש על מחירי החוזה שלה בגלל ההיצע המצומצם של זיכרונות.
|