Warning: Creating default object from empty value in /home/chiporta/public_html/plugins/system/advancedmodules/modulehelper.php on line 320

תא ה-SRAM הקטן ביותר

מאת אבי בליזובסקי שלישי, 08 יוני 2010 01:09
גרסת הדפסה

IBM_logo
לוגו של יבמ
צוות מחקר הכולל חוקרים ממעבדות המחקר של יבמ, גלובל פאונדריז, טושיבה ו-NEC   יצרו תא SRAM בשטח של 0.063 מיקרון תוך שימוש בטכנולוגית ליטוגרפיה אופטית  וטרנזיסטורי  FinFET. החוקרים עומדים להציג את המחקר בסימפוזיון שיעסוק בטכנולוגית VLSI שיתקיים בהונולולו, הוואי בין ה-15 וה-17 ביוני.

החוקרים טוענים כי שטח התא שיוצר בעבודתם הוא תא ה-SRAM הקטן ביותר שנוצר בטכנולוגית ליתוגרפיה אופטית. הוא יוצר באמצעות שער בגודל  80 ננומטר ו-FIN של  40 ננומטר  והוא מתאים לשימוש בשבבים בטכנולוגית 22 ננומטר.

התא פועל בצריכת חשמל של 0.4 וולט.  תהליך sidewall image transfer (SIT)   בחשיפה כפולה וחריטה כפולה משמש לייצור ה-FIN-ים.
עוד בתחום רכיבים

Warning: Creating default object from empty value in /home/chiporta/public_html/modules/mod_filterednews/helper.php on line 247

Warning: Creating default object from empty value in /home/chiporta/public_html/modules/mod_filterednews/helper.php on line 247

כתבות נוספות בתחום

‫רכיבים‬
הסיליקון קרביד משיג את יעדי הביצועים של המערכות במכוניות היברידיות וחשמליות
סיליקון קרביד יכול להתגבר על המגבלות המבניות של הסיליקון, ולספק רמות של ביצועים שאי אפשר היה להשיג קודם
קרא עוד
‫רכיבים‬
ECI, פעם ספינת דגל ישראלית, נמכרת לריבון האמריקנית בחצי מיליארד דולר
ענקית התוכנה ממסצ'וסטס תשלם לבעלי מניות ECI סך של 324 מיליון דולר במזומן ועוד כ-32.5 מיליון מניות של ריבון
קרא עוד