מאז אמצע השנה, חלה תאוצה בפריסת G5 ברחבי העולם והיא מביאה עימה את אחת מהזדמנויות הצמיחה הגדולות ביותר בהיסטוריה של תעשיית המוליכים למחצה. ההשפעה של G5 תורגש הרבה מעבר לגבולות תעשיית הטכנולוגיה, תשפיע על כל תחומי החברה ותניע פעילות כלכלית עצומה אשר תוביל לביקוש גובר למיקרו מעבדים. במטרה לסייע לכם לרתום את הזדמנות הצמיחה לפיתוח G5, TSMC עמלה לחיזוק המובילות הטכנולוגית והמצוינות שלנו בייצור על מנת לספק את הדרישות שלכם באופן מיטבי.

במטרה לספק ללקוחותינו קיבולת טכנולוגית מתקדמת יותר כדי להתמודד עם הביקוש מפריסת G5 מהירה בשנה הבאה, TSMC תעלה את תקציב הוצאות ההון שלה לשנת 2019 ב-$4 מיליארד כך שיסתכם ב-14-15 $ מיליארד לתמיכה בתכנונים המובילים והמוצרים המצליחים שלכם בעזרת קיבולת נוספת. כ-1.5 $ מיליארד מתוך ה-4 $ מיליארד הנוספים מיועדים לקיבולת 7nm ו-2.5 $ מיליארד מיועדים לקיבולת 5nm.

ההתקדמות בטכנולוגיות המתקדמות שלנו תוכל לעזור לכם להציג חידושי מוצר מוצלחים. טכנולוגיית התהליך 5N שלנו אימצה את EUV באופן כולל וכבר החלה ב-risk production תוך הצגת תשואות טובות מאוד. עם עלייה של 80% בצפיפות לוגית ו-20% במהירות בהשוואה לתהליך 7N שלנו, ה-5N של TSMC נמצא במרחק node שלם מה-7N והוא מתוכנן לייצור המוני במחצית הראשונה של השנה הבאה. 

אנו סבורים שה-5N שלנו הוא הפתרון המתקדם ביותר של תעשיית ה-foundry עם הצפיפות, הביצועים והכוח הטוב ביותר עד להגעת תהליך ה-3nm שלנו. ההתקשרויות שלנו עם לקוחות 5N חולשות על מגוון רחב יותר של יישומים מאי פעם ואנו בטוחים טכנולוגיית תהליך ה-5nm שלנו תהווה ramp חשוב ליישומי מובייל ו-HPC כאחד.

אנו מתקדמים טוב גם בפיתוח הטכנולוגיות התהליך המתקדמות האחרות שלנו. אנו עובדים כעת על תהליך 3N עם לקוחות, פיתוח שיהיה במרחק של עוד node מתהליך ה-5N שלנו עם שיפורי PPA הדומים לשיפור בין ה-7N לעומת 5N. אנו צופים שטכנולוגיית התהליך 3nm שלנו תהיה טכנולוגיית ה-foundry המתקדמת ביותר בטכנולוגיית PPA וטרנזיסטורים. תהליך ה-7N שלנו, המוביל בתעשייה, השתפר ונמצא בייצור המוני עם תשואות חסרות תקדים כבר יותר משנה. לאחר שיצרנו יותר ממיליון 7nm wafers, אנו ממשיכים לרשום ביקוש גבוה מאוד לתהליך ה-7N שלנו במגוון רחב של מוצרים ליישומי מובייל, HPC ו-IoT. כטכנולוגיית הליתוגרפיה EUV הראשונה שזמינה בקנה מידה מסחרי בתעשייה, תהליך ה-+7N שלנו מספק 15-20% יותר צפיפות עם צריכת חשמל משופרת בהשוואה ל-7N שלנו, והיא כבר מצויה בייצור המוני תוך הצגת תשואות מצוינות. אנו מצפים שהביקוש הגבוה ל-+7N שלנו ימשיך בשנה הבאה ואנו מגדילים את הוצאות ההון שלנו כדי לעמוד בביקוש הזה לטובת חדשנות אצל לקוחותינו.

תהליך ה-6N שלנו מספק מסלול נדידה ברור למוצרי 7N שניוניים של הלקוחות שכן כללי העיצוב שלו תואמים ב-100% ל-7N, בתוספת צפיפות לוגית של 18% ליצירת יתרון ביצועים מול עלות. תהליך ה-6N שלנו מאמץ שכבת EUV נוספת מעבר ל-+7N וה-risk production צפוי להתחיל ברבעון הראשון של 2020 וייצור המוני יחל לפני סוף 2020.

בנוסף לשירותי ייצור ה-wafer המובילים שלנו, TSMC ספק מגוון רחב של פתרונות אריזה מתקדמים המאפשרים אינטגרציה בין המערכת לעיבוד ברמת ה-wafer המבטיחים אינטגרציה חלקה של תהליך אריזת frontend wafer ו-backend chip. הפתרונות כוללים את CoWoS®, InFO ו-TSMC-SoIC®. אנו רואים תאוצה רבה עבור CoWoS® ו-InFO ליישומי HPC ככל שאנו ממשיכים להגדיל את שטח השבב המשולב במודולה אחת. אנחנו גם עובדים על ה-SoIC, פתרון 3D-IC מוביל בתעשייה, עם לקוחות מובילים ושותפים באקוסיסטם – דבר המאפשר אינטגרציית D3 של שבבים צמודים מרובים על מנת לספק את הביצועים, העוצמה וה-form factor הטובים ביותר. אנו מתכוונים להתחיל בייצור SoIC ב-2021, עם אימוץ מוקדם על ידי יישומי HPC.

תאוצת G5 תזרז את ההצגה והפריסה של רשתות G5 וסמארטפונים בשווקים מרכזיים בעולם. הדבר מציג הזדמנויות מרגשות בתעשייה שלנו. שילוש החוזקות של TSMC מאפשר לנו להיות שותף ה-Foundry  האמין ביותר שלכם, איתו תוכלו לעבוד כדי להתגבר על אתגרים, לשחרר את החדשנות שלכם ולנצל את הזדמנויות השוק.

תגובות (0)

הצג או הסתר תגובות

כתוב תגובה

מייל שם אתר		כותרת תגובה יותר קטן | יותר גדול
		קבלת עדכונים בדואר אלקטרוני - למשתמשים רשומים בלבד קראתי והנני מסכים ל תנאי השימוש באתר העתק תווים מוצגים הוסף תגובה