 |
פורטל תעשיית השבבים בישראל מבית מגזין |
|
בישראל תכנון אלק' ((EDA סמסונג מממנת פיתוח טכנולוגית 7 ננומטר באוניברסיטת פנסילבניה
מאמרים פופולרייםWarning: Creating default object from empty value in /home/chiporta/public_html/modules/mod_mostread/helper.php on line 79 Warning: Creating default object from empty value in /home/chiporta/public_html/modules/mod_mostread/helper.php on line 79 Warning: Creating default object from empty value in /home/chiporta/public_html/modules/mod_mostread/helper.php on line 79 Warning: Creating default object from empty value in /home/chiporta/public_html/modules/mod_mostread/helper.php on line 79 חם בפורומיםWarning: Creating default object from empty value in /home/chiporta/public_html/modules/mod_kunenalatest/helper.php on line 220 Warning: Creating default object from empty value in /home/chiporta/public_html/modules/mod_kunenalatest/helper.php on line 220 Warning: Creating default object from empty value in /home/chiporta/public_html/modules/mod_kunenalatest/helper.php on line 220 Warning: Creating default object from empty value in /home/chiporta/public_html/modules/mod_kunenalatest/helper.php on line 220 Warning: Creating default object from empty value in /home/chiporta/public_html/modules/mod_kunenalatest/helper.php on line 220
|
 Warning: Creating default object from empty value in /home/chiporta/public_html/plugins/system/advancedmodules/modulehelper.php on line 320
סמסונג מממנת חוקרים מאוניברסיטת פנסילבניה המפתחים שיטת ייצור שבבי FinFETs שתשלב בנוסף לסיליקון גם גליום ארסניד אינדיום III-V לשימוש אפשרי בצמתים בטכנולוגית 7 ננומטר. FinFET - טכנולגיה שבה טרנזיסטורים תלת ממדיים שהשערים מסודרים בהם בצורת סנפירים המנצלים את אפקט השדה המאפשר זליגה נמוכה וביצועים גבוהים. החוקרים מבקשים לשלב את הטוב משתי העולמות - גליום ארסנייד וסיליקון ופיתחו טרנזיסטורי InGaAs FinFET המשתמשים במבנה בעל חמישה שערים הגדל על מצע אינדיום פוספיד (InP) במסגרת חקר החומרים במעבדה לננו-ייצור. במשך שנים משקיעות חברות מוליכים למחצה במחקר לייצור טרנזיסטורים III-V על מצעי סיליקון, כולל אינטל, SEMATECH, ולאחרונה, Imec.. הסיבה לשימוש במצע הסיליקון היא העלות הנמוכה המתאפשרת בשל שימוש בציוד הקיים המותאם במיוחד לשימוש בסיליקון, עם זאת, מקווים בפן סטייט לשלב את החומרים עם החומרים המשמשים את ה-CMOS בפרוסות שבבים בקוטר 300 מילימטר.
תגובות (0)
 |
שדרת הלוגואים |
|||||||||
 |
בניית אתרים | בעצם גלישתכם באתר הכנם מסכימים לתנאי השימוש בו - לחצו כאן לקריאת תנאי השימוש - כל הזכויות שמורות Chiportal (c) 2010 |
הצג או הסתר תגובות
