Warning: Creating default object from empty value in /home/chiporta/public_html/plugins/system/advancedmodules/modulehelper.php on line 320

סמסונג מממנת פיתוח טכנולוגית 7 ננומטר באוניברסיטת פנסילבניה

מאת אבי בליזובסקי רביעי, 03 ספטמבר 2014 00:20
גרסת הדפסה

Samsung_finfet_photo
שבב בטכנולוגית ייצור 7 ננומטר שמפתחים באוניבריסטת פנסילבניה עבור סמסונג



סמסונג מממנת חוקרים מאוניברסיטת פנסילבניה המפתחים שיטת ייצור שבבי FinFETs  שתשלב בנוסף לסיליקון גם גליום ארסניד אינדיום III-V  לשימוש אפשרי בצמתים בטכנולוגית 7 ננומטר.

FinFET  - טכנולגיה שבה טרנזיסטורים  תלת ממדיים שהשערים מסודרים בהם בצורת סנפירים המנצלים את אפקט השדה המאפשר זליגה נמוכה וביצועים גבוהים. החוקרים מבקשים לשלב את הטוב משתי העולמות - גליום ארסנייד וסיליקון ופיתחו טרנזיסטורי InGaAs FinFET המשתמשים במבנה בעל חמישה שערים הגדל על מצע אינדיום פוספיד (InP) במסגרת חקר החומרים במעבדה לננו-ייצור.

במשך שנים  משקיעות חברות מוליכים למחצה במחקר לייצור טרנזיסטורים III-V  על מצעי סיליקון, כולל אינטל, SEMATECH, ולאחרונה, Imec.. הסיבה לשימוש במצע הסיליקון היא העלות הנמוכה המתאפשרת בשל שימוש בציוד הקיים המותאם במיוחד לשימוש בסיליקון, עם זאת, מקווים בפן סטייט לשלב את החומרים עם החומרים המשמשים את ה-CMOS בפרוסות שבבים בקוטר 300 מילימטר.


עוד בתחום תכנון אלקט

Warning: Creating default object from empty value in /home/chiporta/public_html/modules/mod_filterednews/helper.php on line 247

Warning: Creating default object from empty value in /home/chiporta/public_html/modules/mod_filterednews/helper.php on line 247

כתבות נוספות בתחום

‫תכנון אלק' (‪(EDA‬‬
סינופסיס מציגה פתרונות רכב לתכנון מערכות על שבב
הפתרונות של סינופסיס מאפשרים למתכננים להימנע משימוש בפתרונות scripting תפורים ולשפר את זמן הריצה, קיבולת ביצוע המשימות, איכות התוצאות וקלות...
קרא עוד
‫תכנון אלק' (‪(EDA‬‬
3LC, מקודד הבלוטות' של הדור הבא, זמין עבור מעבדי Tensilica HiFi של קיידנס
קיידנס הוציאה רישוי לקוד ייחוס מ- Fraunhofer IIS על מנת לאפשר זמינות של המקודד החדש מייד עם השקת תקן ה-LE Audio הראשוני. הדבר מאפשר ללקוחות ליהנות...
קרא עוד