 |
פורטל תעשיית השבבים בישראל מבית מגזין |
|
בישראל יצור ((FABs UMC מתכוונת להתחרות ב-TSMC בתהליך FinFET
מאמרים פופולרייםWarning: Creating default object from empty value in /home/chiporta/public_html/modules/mod_mostread/helper.php on line 79 Warning: Creating default object from empty value in /home/chiporta/public_html/modules/mod_mostread/helper.php on line 79 Warning: Creating default object from empty value in /home/chiporta/public_html/modules/mod_mostread/helper.php on line 79 Warning: Creating default object from empty value in /home/chiporta/public_html/modules/mod_mostread/helper.php on line 79 חם בפורומיםWarning: Creating default object from empty value in /home/chiporta/public_html/modules/mod_kunenalatest/helper.php on line 220 Warning: Creating default object from empty value in /home/chiporta/public_html/modules/mod_kunenalatest/helper.php on line 220 Warning: Creating default object from empty value in /home/chiporta/public_html/modules/mod_kunenalatest/helper.php on line 220 Warning: Creating default object from empty value in /home/chiporta/public_html/modules/mod_kunenalatest/helper.php on line 220 Warning: Creating default object from empty value in /home/chiporta/public_html/modules/mod_kunenalatest/helper.php on line 220
|
 Warning: Creating default object from empty value in /home/chiporta/public_html/plugins/system/advancedmodules/modulehelper.php on line 320
UMC, באמצעות עסקת רישוי עם הענקית יבמ, יכולה להכנס לטכנולוגית FinFET בתהליך ייצור 20 ננומטר במחצית השניה של 2014, כשנה לפני המועד הקרוב ביותר שעליו הכריזה TSMC. התהליך ש-UMC רכשה את הרשיון עליו הוא עבור FinFET על סיליקון גולמי ולא על פרוסות סיליקון-על- מבודד. הדבר יקל על כניסה מהירה לשוק לאחר הרצת תהליך CMIOS גולמי ב-20 ננומטר. לפי הדיווחים של אנליסטים המקורבים לחברה, הדבר מבטיח כי ה- fins מוגדרים היטב בתוך הרכיב המלבני החוצה, דבר שיכול לאפשר הבדלים בביצועים שיעשו את ה- FinFET על פרוסות סיליקון על מבודד (SOI) ולספק ביצועים טובים ביותר בכל הקשור להפחתת זליגת הזרם. ב-TSMC מוסרים כי החדירה הראשונה של FinFET תהיה בתהליך הייצור בטכנולוגית 16 ננומטר, והוא מתוכנן למחצית השניה של 2015. אף כיTSMC משתמשת ב- FinFET במערך הייצור האחורי בטכנולוגית 20 ננומטר, יש לה אופציה לקדם את לוח הזמנים ולהשתמש גם ב-20 ננומטר ב- FinFET מלא.
תגובות (0)
 |
שדרת הלוגואים |
|||||||||
 |
בניית אתרים | בעצם גלישתכם באתר הכנם מסכימים לתנאי השימוש בו - לחצו כאן לקריאת תנאי השימוש - כל הזכויות שמורות Chiportal (c) 2010 |
הצג או הסתר תגובות
