Warning: Creating default object from empty value in /home/chiporta/public_html/plugins/system/advancedmodules/modulehelper.php on line 320

UMC מתכוונת להתחרות ב-TSMC בתהליך FinFET

מאת אבי בליזובסקי שני, 30 יולי 2012 00:20
גרסת הדפסה

umc_building
יצרנית השבבים UNC, הנשרכת כמספר שתיים אחרי מובילת השוק TSMC, עשויה לעקוף את יריבתה ולהוביל בטכנולוגית הייצור הכוללת את תהליך FinFET. זאת למרות העובדה ש-TSMC היתה אחת ממייסדות רעיון ה- FinFET לפני כעשור.

UMC, באמצעות עסקת רישוי עם הענקית יבמ, יכולה להכנס לטכנולוגית FinFET בתהליך ייצור 20 ננומטר במחצית השניה של 2014, כשנה לפני המועד הקרוב ביותר שעליו הכריזה TSMC.

התהליך ש-UMC רכשה את הרשיון עליו הוא עבור FinFET על סיליקון גולמי ולא על פרוסות סיליקון-על- מבודד. הדבר יקל על כניסה מהירה לשוק לאחר הרצת תהליך CMIOS גולמי ב-20 ננומטר. לפי הדיווחים של אנליסטים המקורבים לחברה, הדבר מבטיח כי ה- fins מוגדרים היטב בתוך הרכיב המלבני החוצה, דבר שיכול לאפשר הבדלים בביצועים שיעשו את ה- FinFET על פרוסות סיליקון על מבודד (SOI) ולספק ביצועים טובים ביותר בכל הקשור להפחתת זליגת הזרם.
ב-TSMC מוסרים כי החדירה הראשונה של FinFET תהיה בתהליך הייצור בטכנולוגית 16 ננומטר, והוא מתוכנן למחצית השניה של 2015. אף כיTSMC משתמשת ב- FinFET במערך הייצור האחורי בטכנולוגית 20 ננומטר, יש לה אופציה לקדם את לוח הזמנים ולהשתמש גם ב-20 ננומטר ב- FinFET מלא.


עוד בתחום ייצור - FABS

Warning: Creating default object from empty value in /home/chiporta/public_html/modules/mod_filterednews/helper.php on line 247

Warning: Creating default object from empty value in /home/chiporta/public_html/modules/mod_filterednews/helper.php on line 247

כתבות נוספות בתחום

‫יצור (‪(FABs‬‬
STMicroelectronics תוסיף 1.5 מיליארד דולר להשקעות ההון שלה השנה
בין היתר תשקיע החברה השקעות אסטרטגיות בסכום של 400 מיליון דולר במפעל שלה בהאגרייט; בפרוסות 200 מ"מ ובטכנולוגיות סיליקון קרביד
קרא עוד
‫יצור (‪(FABs‬‬
סמסונג תשקיע למעלה מ-100 מיליארד כדי להתחרות ב-TSMC
לקוחות מדווחים כי סמסונג חתכה את מחירי הייצור כדי למשוך אותם לעזוב את TSMC ולעבור אליה.
קרא עוד