Warning: Creating default object from empty value in /home/chiporta/public_html/plugins/system/advancedmodules/modulehelper.php on line 320

כנס מפתחי ARM: מתווים את הדרך ל-14 ננומטר

מאת אבי בליזובסקי חמישי, 27 ספטמבר 2012 00:30
גרסת הדפסה
arm


מצגת שתוצג בכנס מפתחי ARM שאמור להתקיים בסנטה קלר ב-1 בנובמבר, מראה כי הכנס יתמקד באתגרים ובהזדמנויות שמציגה טכנולוגית ייצור השבבים ברוח NODE של 14 ננומטר הצפויה להבשיל בתוך שנתיים-שלוש, אם הליטוגרפיה תוכל לאפשר זאת.

לארס ליברמן, מהנדס עמית של יבמ וגרג ייריק, מהנדס מו"פ בכיר ב-ARM יציגו את המצגת בת 50 הדקות במסגרת הכנס.

הדוברים צפויים להראות כמה קשה יהיה להכין תבניות ל-IC שיבצעו אינטראקציה עם מבנים לא לינרים, למשל FinFETs דמויי הסניפירים שיצוצו מעל פני השטח של הסיליקון ואשר צפויים לשמש בשבבים בטכנולוגיה זו.

המצגת גם צפויה להכיל סקירה על מצב ליתוגרפית האולטרה-סגול הקיצוני (EUV) ולהסביר כיצד תבנית כפולה העושה שימוש בליתוגרפיה אופטית יכולה לגשר על הפער עד ש-EUV תהיה זמינה. המידע באשר לקלות מורכבות ה- multipatterning ייחשפו אף הם בכס.

במצגת גם תיערך סקירה של העקרונות הבסיסיים של FinFET והשפעת טכנולוגיה זו הן על ה-IP הפיזי והן על ה-IP ברמות הגבוהות יורת של המעבדים. לפי אתר EETIMES - שהחברה שמחזיקה בו גם מארגנת את הכנס,  המצגת גם תציג מסקנות  אודות צריכת החשמל, הביצועים, השטח והעלות של צמתי IC ברוחב 14 ננומטר.


עוד בתחום ייצור - FABS

Warning: Creating default object from empty value in /home/chiporta/public_html/modules/mod_filterednews/helper.php on line 247

Warning: Creating default object from empty value in /home/chiporta/public_html/modules/mod_filterednews/helper.php on line 247

כתבות נוספות בתחום

‫יצור (‪(FABs‬‬
STMicroelectronics תוסיף 1.5 מיליארד דולר להשקעות ההון שלה השנה
בין היתר תשקיע החברה השקעות אסטרטגיות בסכום של 400 מיליון דולר במפעל שלה בהאגרייט; בפרוסות 200 מ"מ ובטכנולוגיות סיליקון קרביד
קרא עוד
‫יצור (‪(FABs‬‬
סמסונג תשקיע למעלה מ-100 מיליארד כדי להתחרות ב-TSMC
לקוחות מדווחים כי סמסונג חתכה את מחירי הייצור כדי למשוך אותם לעזוב את TSMC ולעבור אליה.
קרא עוד