 |
פורטל תעשיית השבבים בישראל מבית מגזין |
|
בישראל יצור ((FABs ד"ר מאמאגקאקיס: סמסונג משקיעה את משאביה ומפעילה מאמצי מחקר לפיתוח טכנולוגיות השבבים ...
מאמרים פופולרייםWarning: Creating default object from empty value in /home/chiporta/public_html/modules/mod_mostread/helper.php on line 79 Warning: Creating default object from empty value in /home/chiporta/public_html/modules/mod_mostread/helper.php on line 79 Warning: Creating default object from empty value in /home/chiporta/public_html/modules/mod_mostread/helper.php on line 79 Warning: Creating default object from empty value in /home/chiporta/public_html/modules/mod_mostread/helper.php on line 79 חם בפורומיםWarning: Creating default object from empty value in /home/chiporta/public_html/modules/mod_kunenalatest/helper.php on line 220 Warning: Creating default object from empty value in /home/chiporta/public_html/modules/mod_kunenalatest/helper.php on line 220 Warning: Creating default object from empty value in /home/chiporta/public_html/modules/mod_kunenalatest/helper.php on line 220 Warning: Creating default object from empty value in /home/chiporta/public_html/modules/mod_kunenalatest/helper.php on line 220 Warning: Creating default object from empty value in /home/chiporta/public_html/modules/mod_kunenalatest/helper.php on line 220
|
 Warning: Creating default object from empty value in /home/chiporta/public_html/plugins/system/advancedmodules/modulehelper.php on line 320
"סמסונג משקיעה את משאביה ומפעילה מאמצי מחקר לפיתוח טכנולוגיות השבבים של הדור הבא". כך אומר בשיחה עם Chiportal ד"ר סטיליאנוס מאמאגקאקיס, מנהל פיתוח עסקים אסטרטגי בסמסונג סמיקונדקטור אירופה. ד"ר מאמאגקאקיס יהיה אחד האורחים אשר יגיעו השבוע לראשונה לישראל לכבוד כנס ChipEx2014. פתחנו את הראיון בשאלה. מהן הטכנולוגיות שישפרו או אפילו יחליפו את טכנולוגיות השבבים הנוכחיות, כעת כשחוק מור נראה בלתי ישים? מאמאגקאקיס: "סמסונג מתגברת כבר היום את טכנולוגית השבבים הנוכחית עם תהליכים כגון High-k Metal Gate) HKMG) ו- FinFET כדי לספק גיוון של פתרונות ייצור לרבות בטכנולוגיות 28 ו-14 ננומטרים. בתחום הזכרונות, שבבי זיכרונות הפלאש התלת ממדיים של סמסונג V-NAND (Vertical NAND) מיוצרים תוך שימוש בתהליך הקישור האנכי המאפשר קישור של 24 שכבות תאים תלת ממדיים בהתבסס על מבנה 3D Charge Trap Flash ) CTF) של סמסונג במטרה לשבור את מחסום 10 הננומטרים. באשר לטכנולוגיות שיחליפו בסופו של דבר את טכנולוגית השבבים הנוכחית, עדיין מוקדם מדי להגדיר תשובה. ואולם, סמסונג משקיעה את משאביה ומפעילה מאמצי מחקר לפיתוח טכנולוגיות השבבים של הדור הבא. אחת הפעילויות הללו הודגמה בשיטת הסינתוז פורצת הדרך של גרפן בידי המכון לטכנולוגיות מתקדמות של סמסונג Samsung Advanced Institute of Technology ) SAIT) בשיתוף פעולה עם אוניברסיטת סונגקונקוואן. עדיין יהיה מוקדם לדון במסחור הטכנולוגיה." מהו הפיתוח הבא בתחום האינטרנט של הדברים ומה נדרש כדי להגיע לעולם מרושת של מכונות? מאמאגקאקיס: "האינטרנט של הדברים (IoT) משמעותו קישור של התקנים הן זה עם זה והן בשיתוף טכנולוגיות ענן כדי להמשיך ולעבד את הנתונים. לפיכך, הפיתוחים הבאים חייבים להיות שיפור הקישוריות ותשתיות הענן. סמסונג תומכת בעולם המקושר באמצעות אספקת פתרונות זכרון DRAM ופלאש, כמו גם מוצרי קישוריות אלחוטית." כיצד אתה רואה את השילוב בין האקדמיה והתעשיה ומה נדרש לעשות כדי לשפר את הקשר? "לי יש רקע אישי בעבודה במרכז המו"פ של IMEC במשך כעשור, ודעתי האישית היא שבריתות ייצור ואקוסיסטם הם הדרך להתקדם בתחום המו"פ בענף השבים. זו גם הדעה בסמסונג, שהיא חברה ב-IMEC וב- Sematech. האקדמיה חייבת ליטול חלק בבריתות הללו הן בעזרה ישירה למאמצי הפיתוח של שותפיה ושל תעשית הייצור. בבריתות הללו באמצעות תיאום המו"פ המתקדם מול מפות הדרכים התואמות של הבריתות." מהי תרומת סמסונג להתקדמות תעשיית השבבים? "עסקי הזכרון של סמסונג מציעים את הטווח הרחב ביותר הקיים בתעשיה של שבבי זכרון, כמובילה הן בתחום התכנון והן בייצור שבבי זכרון מאז שנת 1993. בנוסף להובלתנו בתחום הזכרונות, סמסונג מספקת מגוון של SoC ו- LSI לרבות סדרת המעבדים הניידים Exynos." פתרונות הייצור של סמסונג פיתחה ומציעה את תהליך 14nm FinFET, המבוסס על פלטפורמה טכנולוגית שזכתה לתשומת הלב כפתרון המוביל לתכנוני system-on-chip ) SoC) חסכוניים באנרגיה בנפח גבוה. הפלטפורמה מנצלת את היתרונות של תלת ממד, טרנזיסטורים הממצים את תהליך FinFET כדי להתגבר על מגבלות טכנולוגית הטרנזיסטורים המסורתית, ולאפשר הגברה של עד 20% במהירות, חסכון של 35% בצריכת האנרגיה והפחתה של 15% בגודל השבב לעומת טכנולוגית 20 ננומטר. הפלטפורמה היא יישום ראשון של טכנולוגית FinFET בתעשיית הייצור כדי לספק שידרוג גדול לעומת 20 ננומטר. הטכנולוגיה מאפשרת שערי חיבור קטנים יותר לצורך צפיפות לוגית גדולה יותר ו- SRAM bitcells קטנים יותר כדי לענות על הביקוש הגובר לתכולת זכרון ב- SoCs מתקדמים, בעוד הם עדיין ממנפים את השיטה המוכחת לקישוריות הדדית מ-20 ננומטר כדי להציע את יתרונות טכנולוגית FinFET תוך סיכון מופחת והעברה מהירה יותר של המוצרים לשוק. ראו גם: סמסונג וגלובל פאונדריז מכינות תהליך 14 ננומטר
תגובות (0)
 |
שדרת הלוגואים |
|||||||||
 |
בניית אתרים | בעצם גלישתכם באתר הכנם מסכימים לתנאי השימוש בו - לחצו כאן לקריאת תנאי השימוש - כל הזכויות שמורות Chiportal (c) 2010 |
הצג או הסתר תגובות
