 |
פורטל תעשיית השבבים בישראל מבית מגזין |
|
דף בית 
בישראל יצור ((FABs TSMC - שבבי 7 ננומטר באופק
בישראל יצור ((FABs TSMC - שבבי 7 ננומטר באופק
מאמרים פופולרייםWarning: Creating default object from empty value in /home/chiporta/public_html/modules/mod_mostread/helper.php on line 79 Warning: Creating default object from empty value in /home/chiporta/public_html/modules/mod_mostread/helper.php on line 79 Warning: Creating default object from empty value in /home/chiporta/public_html/modules/mod_mostread/helper.php on line 79 Warning: Creating default object from empty value in /home/chiporta/public_html/modules/mod_mostread/helper.php on line 79 חם בפורומיםWarning: Creating default object from empty value in /home/chiporta/public_html/modules/mod_kunenalatest/helper.php on line 220 Warning: Creating default object from empty value in /home/chiporta/public_html/modules/mod_kunenalatest/helper.php on line 220 Warning: Creating default object from empty value in /home/chiporta/public_html/modules/mod_kunenalatest/helper.php on line 220 Warning: Creating default object from empty value in /home/chiporta/public_html/modules/mod_kunenalatest/helper.php on line 220 Warning: Creating default object from empty value in /home/chiporta/public_html/modules/mod_kunenalatest/helper.php on line 220
|
 Warning: Creating default object from empty value in /home/chiporta/public_html/plugins/system/advancedmodules/modulehelper.php on line 320
בסימופזיון שהתקיים לאחרונה בסן חוזה, הכריזה TSMC על משפחה גדולה של שבבי 2.5 ו-3 ממדים כחלק ממפת דרכים נרחבת יותר לשוק האמריקני, האחראי ל-74% מעסקי הייצור שלה. ענקית הייצור מציעה כיום ארבעה גרסאות של תהליך 28 ננומטר, טכנולוגית 20 ננומטר של שבבים שטוחים ושידרוג של תהליך FinFET בטכנולוגית 16 ננומטר. כך אמר ג'ק סאן, ה-CTO הראשי של TSMC. כזכור דיווחנו כי המתחרות סמסונג וגלובל פאונדריז הודיעו על גרסאות ראשונות לטכנולוגית 14 ננומטר ב-2015. ההתקדמות החשובה ביותר עליה הכריזה החברה היא בתחום חלופות זולות לאריזה שמטרתם לאפשר למפעליה לייצר אריזות שבבים ב-2.5 ממדים ובשלושה ממדים במטרה להתגבר על בעיית הצפיפות ולהגביר את עוצמת השבבים תוך הפחתת צריכת האנרגיה. במבט קדימה, אמר סון כי החברה מתכננת ייצור בתהליךFinFET בצמתים בעובי 10 ננומטר, שיהיו צפופים פי 2.2 מאלו שב-16 ננומטר. החבר הגם צופה ייצור ראשוני ב-7 ננומטר בשנת 2017. TSMC תשקיע כ-10 מיליארד דולר בציוד ובמבנים השנה, בדומה להשקעתה בשנת 2013.
תגובות (0)
 |
שדרת הלוגואים |
|||||||||
 |
בניית אתרים | בעצם גלישתכם באתר הכנם מסכימים לתנאי השימוש בו - לחצו כאן לקריאת תנאי השימוש - כל הזכויות שמורות Chiportal (c) 2010 |
הצג או הסתר תגובות
