יבמ טוענת לפריצת דרך בייצור בטכנולוגית 5 ננומטר
מאת אבי בליזובסקי רביעי, 07 יוני 2017 00:58

גיליון טרנזיסטורים בטכנולוגית 5 ננומטר. יאריך לטלפונים החכמים פי 2-3 את משך חיי הסוללה. איור: יבמ/גלובל פאונדריז/סמסונג

חוקרי יבמ ושותפיהם פיתחו ארכיטקטורת טרנזיסטור חדשה המבוססת על ננו-סיליקון מוערמים גבי משטח סיליקון, שלדעתם יהפכו את FinFETs למיושנים בטכנולוגית תהליך 5 ננומטר.

הארכיטקטורה, שתוארה ביום שני (5 ביוני) בכנס סימפוזיון VLSI על טכנולוגיה ומעגלים בקיוטו, יפן, היא שיאה של עשר שנות מחקר על-ידי יבמ ושותפיה GlobalFoundries וסמסונג, וכן ספקי ציוד . בהשוואה ל- FinFETs, הארכיטקטורה החדשה צורכת פחות חשמל, לדברי החוקרים.

פריצת הדרך של הברית צריכה לאפשר להתקנים המופעלים באמצעות סוללות כמו סמארטפונים והתקנים ניידים אחרים לפעול במשך יומיים עד שלושה ימים בהטענה יחידה, כמו גם להגביר את הביצועים של בינה מלאכותית (AI), מציאות וירטואלית ואפילו של מחשבי על.
פחות משנתיים לאחר פיתוח שבבי הבדיקה 7nm עם 20 מיליארד טרנזיסטורים, החוקרים אומרים שהם סללו את הדרך להדפסת 30 מיליארד טרנזיסטורים על שבב בגודל ציפורן המבוססים על שערי ננו. תוצאות הבדיקה מצביעות על עלייה של 40% בביצועים (באותה עוצמה כמו FinFETs 7nm) או עד לחיסכון של 75% בחשמל בהשוואה לטרנזיסטורים מתקדמים בטכנולוגית 10 ננו-מטר.

לדברי יבמ, פריצת הדרך החדשה בטכנולוגית 5 ננו-מטר לביצועים נוספים תעצים את מאמצי המחשוב הקוגניטיביים שלה, כמו גם את המאמצים של כל השותפים לקראת מחשוב ענן בתפוקה גבוהה ולמידה מעמיקה, יחד עם הספק נמוך יותר וחיי סוללה ארוכים יותר עבור התקני האינטרנט של דברים (IoT ).

כדי להשיג את פריצת הדרך הברית המחקר היה צריך להתגבר על הבעיות הנובעות מליטוגרפיה באמצעות EUV (אולטרה סגול קיצוני), אשר נמצאת כבר על מפת הדרכים של יבמ לייצור 7nm FinFETs. לצד יתרון אורך הגל קצר יותר של EUV, חוקרי הברית מצאו גם דרכים להתאים את רוחב ה- nanosheets הן לעיצוב שבב והן לשלבי תהליך הייצור. כוונון עדין זה של ביצועים לעומת חילופי הספק אינו אפשרי עבור FinFETs, אשר מוגבלים על ידי גובה הסנפיר שלהם, מה שהופך אותם מסוגלים להגדיל את הזרם הנוכחי עבור ביצועים גבוהים יותר, כאשר ישודרגו ל 5nm, על פי החוקרים.

יבמ מאמינה כי ארכיטקטורת nanosheet שלה תדורג לצד פריצות דרך בהסטוריה של תעשיית השבבים כתאים פוטוטרופיים DRAMS, מוגבר כימית, חיבורי נחושת, סיליקון על מבודדים, חומרים מתוחים, מעבדים מרובי הליבה, ליתוגרפיה טבילה שבבים תלת ממדיים ו-AIRGAP.

גארי פטון, מנהל הטכנולוגיה הראשי של גלובל פאונדריז וראש המו"פ העולמי, כינה את ההכרזה "פורצת דרך" ואמר כי היא מדגימה כי גלובל פאנודריז מבצעת מחקר פעיל לטכנולוגיות הדור הבא ב-5 ננומטר ומעבר לו.
שותפים נוספים בברית המחקרית הם הפקלטות למדעי הננו והנדסת ננוטכנולוגיה של המכון הטכנולוגי של אוניברסיטת מדינת ניו יורק באולבני, ניו יורק.

עוד בתחום ייצור - FABS Warning: Creating default object from empty value in /home/chiporta/public_html/modules/mod_filterednews/helper.php on line 247 Warning: Creating default object from empty value in /home/chiporta/public_html/modules/mod_filterednews/helper.php on line 247 כתבות נוספות בתחום ‫יצור (‪(FABs‬‬ STMicroelectronics תוסיף 1.5 מיליארד דולר להשקעות ההון שלה השנה בין היתר תשקיע החברה השקעות אסטרטגיות בסכום של 400 מיליון דולר במפעל שלה בהאגרייט; בפרוסות 200 מ"מ ובטכנולוגיות סיליקון קרביד קרא עוד ‫יצור (‪(FABs‬‬ סמסונג תשקיע למעלה מ-100 מיליארד כדי להתחרות ב-TSMC לקוחות מדווחים כי סמסונג חתכה את מחירי הייצור כדי למשוך אותם לעזוב את TSMC ולעבור אליה. קרא עוד

תגובות (0)

הצג או הסתר תגובות

כתוב תגובה

מייל שם אתר		כותרת תגובה יותר קטן | יותר גדול
		קבלת עדכונים בדואר אלקטרוני - למשתמשים רשומים בלבד קראתי והנני מסכים ל תנאי השימוש באתר העתק תווים מוצגים הוסף תגובה