Globalfoundries תאמץ את טכנולוגית הליתוגרפיה EUV עבור FinFET 7nm
מאת אבי בליזובסקי שני, 30 אוקטובר 2017 00:06

GlobalFoundries תהיה הראשונה להשתמש בטכנולוגיית ליתוגרפיה EUV בצומת FinFET שלה בטכנולוגית 7 ננומטר. החברה החלה לעבוד עם AMD בפיתוח תהליך, אמר CTO החברה גארי פטון באירוע שנערך לאחרונה בשנחאי.

מוקדם יותר בשנת 2017, הציגה חברת Globalfoundries את טכנולוגיית מוליכים למחצה של 7nm 7LP אשר לטענתה תספק למעלה מ -40% יותר כוח עיבוד ויחתוך במחצית את השטח שדרשה טכנולוגית FinFET של 14ננומטר. החברה גם חשפה שהיא משקיעה בציוד חדש, כולל הוספת שני כלי הליתוגרפיה הראשונים של EUV במחצית השנייה של 2017, כדי להאיץ את תהליך הייצור של LP7, הייצור הראשוני של 7LP יהיה מבוסס על גישת ליתוגרפיה אופטית, עם הגירה לליתוגרפית EUV כאשר הטכנולוגיה תהיה מוכנה לייצור בכמויות גדולות

עוד בתחום ייצור - FABS Warning: Creating default object from empty value in /home/chiporta/public_html/modules/mod_filterednews/helper.php on line 247 Warning: Creating default object from empty value in /home/chiporta/public_html/modules/mod_filterednews/helper.php on line 247 כתבות נוספות בתחום ‫יצור (‪(FABs‬‬ STMicroelectronics תוסיף 1.5 מיליארד דולר להשקעות ההון שלה השנה בין היתר תשקיע החברה השקעות אסטרטגיות בסכום של 400 מיליון דולר במפעל שלה בהאגרייט; בפרוסות 200 מ"מ ובטכנולוגיות סיליקון קרביד קרא עוד ‫יצור (‪(FABs‬‬ סמסונג תשקיע למעלה מ-100 מיליארד כדי להתחרות ב-TSMC לקוחות מדווחים כי סמסונג חתכה את מחירי הייצור כדי למשוך אותם לעזוב את TSMC ולעבור אליה. קרא עוד

תגובות (0)

הצג או הסתר תגובות

כתוב תגובה

מייל שם אתר		כותרת תגובה יותר קטן | יותר גדול
		קבלת עדכונים בדואר אלקטרוני - למשתמשים רשומים בלבד קראתי והנני מסכים ל תנאי השימוש באתר העתק תווים מוצגים הוסף תגובה