ייתכן שהדרך ל-2 ננומטר לא תהיה משתלמת
מאת אבי בליזובסקי שלישי, 10 אפריל 2018 00:39

המהנדסים רואים אפשריות רבות ליצור טכנולוגיות תהליכי שבבים של 5, 3 ואפילו 2 ננמוטר, אבל חלקם לא בטוחים שיצליחו להוציא מהן יתרונות מסחריים אפילו ב- nm 5. הגידול במורכבות והעלות של ייצור שבבים יותר ויותר קטנים מוביל לפחיתת התשואה. קצבי הנתונים מגיעים לשיא ב-3 GHz במעבדים לסלולר, ויתרונות החשמל והשטח יצטמצמו ב-7 nm, אמר פול פונזס, מנהל הנדסה בכיר בצוות טכנולוגיות התכנון של קוואלקום בפאנל באירוע של קבוצת משתמשי סינופסיס בעמק הסיליקון.

הגדלת המהירות ב-16% ב-10 nm עשויה להיעצר ב-7 nm בגלל התנגדות בקווי מתכת. החיסכון בחשמל יקטן מ-30% ב-10 nm ל-10–25% ב-7 nm, והקיטון בשטחים עשוי לקטון מ-37% ב-10 nm ל-20–30% ב-7 nm.

במשך עשרות שנים תעשיית האלקטרוניקה התקדמה לפי מפת דרכים שקבע חוק מור, שלפיו מספר הטרנזיסטורים בשבב מוכפל בערך כל שנתיים. התוצאה הייתה קצב מהיר של מוצרים יותר ויותר קטנים, מהירים וזולים ממחשבים אישים ועד לסמארטפונים. "השטח עדיין קטן בשיעור דו-ספרתי חזק, אבל הגידול בעלויות הסמויות במסכות משמעו שהיתרונות בעלויות והשיפורים האחרים בפועל מתחילים להאט... לא ברור מה יישאר ב-5 nm, אמר פנזס, ורמז שצומתי 5-nm יהיו אולי רק הרחבות של 7 nm.

חברי הפנל מסמנוג וסינופסיס גרסו כי ישתמשו בגרסאות של טרנזיסטורי FinFET של היום עד לצומת של 5-nm כי מתחת לרוחב של בערך 3.5 nm, ה-FinFET ייתקלו בגבול קשיח.

המתכננים יצטרכו לעבור לערימה של כנראה שלושה ננו-תילים אופקיים דקים שנקראים לפעמים ננו-לוחות, אמר ויקטור מורוז, עמית ומומחה לטרנזיסטורים בסינופסיס. סמסונג מצידה הודיעה על תוכניות להשתמש בטרנזיסטור GAA לתהליך 4-nm שבכוונתה להתחיל לייצר עד 2020.

בצמתים עתידיים, הקטנת המרווחים תאט לסביבות 0.8x בכל דור, לדברי מורוז מסינופסיס. זה יאלץ את המתכננים להקטין את גובה התאים מכ-228 nm עם שני סנפירים ושש מסילות ב-7 nm ל-130–100 nm עם חמש מסילות וסנפיר אחד ב-3 ו-2 nm, הוסיף. "באמצעות טכניקות כאלה, נראה שהסיליקון יביא אותנו בביטחה עד ל-2 nm, ואחרי זה אולי נפנה לגרפן", סיכם.

עוד בתחום ייצור - FABS Warning: Creating default object from empty value in /home/chiporta/public_html/modules/mod_filterednews/helper.php on line 247 Warning: Creating default object from empty value in /home/chiporta/public_html/modules/mod_filterednews/helper.php on line 247 כתבות נוספות בתחום ‫יצור (‪(FABs‬‬ STMicroelectronics תוסיף 1.5 מיליארד דולר להשקעות ההון שלה השנה בין היתר תשקיע החברה השקעות אסטרטגיות בסכום של 400 מיליון דולר במפעל שלה בהאגרייט; בפרוסות 200 מ"מ ובטכנולוגיות סיליקון קרביד קרא עוד ‫יצור (‪(FABs‬‬ סמסונג תשקיע למעלה מ-100 מיליארד כדי להתחרות ב-TSMC לקוחות מדווחים כי סמסונג חתכה את מחירי הייצור כדי למשוך אותם לעזוב את TSMC ולעבור אליה. קרא עוד

תגובות (0)

הצג או הסתר תגובות

כתוב תגובה

מייל שם אתר		כותרת תגובה יותר קטן | יותר גדול
		קבלת עדכונים בדואר אלקטרוני - למשתמשים רשומים בלבד קראתי והנני מסכים ל תנאי השימוש באתר העתק תווים מוצגים הוסף תגובה