סמסונג מתחילה בייצור המוני של זכרונות DRAM בטכנולוגית 10 ננומטר
מאת אבי בליזובסקי שישי, 08 אפריל 2016 00:31

סמסונג אלקטרוניקס החלה בייצור המוני בטכנולוגית 10 ננומטר של שבבי DRAM 8Gb DDR4 ומודולים הנגזרים מהם,.

סמסונג מסרה כי הייצור פותח את הדלת לייצור של DRAM לשוק הביניים בטכנולוגית 10 ננומטר לראשונה בענף לאחר התגברות על אתגרים טכניים. אתגרים אלה כללו מעבר ל-ARF של פלואירד ארגון לטבילת הליתוגרפיה חופשית משימוש בציוד EUV.

"DRAM 10nm של סמסונג יאפשר את הרמה הגבוהה ביותר של יעילות השקעה במערכות IT, ובכך תוכל להפוך למנוע צמיחה חדש לתעשיית הזיכרון הגלובלית", אמר יאנג-יון יוני, נשיא עסקי הזיכרון של סמסונג. "בעתיד הקרוב יתרחב השימוש בהתקני זיכרון ניידים בעלי צפיפות גבוהה כדי לסייע ליצרנים של מכשירים ניידים לפתח מוצרים חדשניים יותר מבלי לפגוע בנוחות השימוש.

שבבי DRAM 8 גיגה בטכנולוגית 10 ננומטר של סמסונג ישפרו באופן משמעותי את הפרודוקטיביות של השבב בלמעלה מ-30%. בחברה ציינו. כי ה- DRAM החדש תומך בקצב העברת נתונים של 3,200Mbps, כלומר ב- -30% מהיר יותר מאשר קמב ההעברה של 2,400 מגהביט לשניה בשבבים בטכנולוגית 20 ננומטר, ובנוסף הם גם צורכים 20% פחות חשמל. הם מיועדים למיחשוב עתיר ביצועים ולרשתות ארגוניות גדולות כמו גם עבור מכשירי PC מהמיינסטרים ושוק השרתים.

עוד בתחום IPS וזכרונות Warning: Creating default object from empty value in /home/chiporta/public_html/modules/mod_filterednews/helper.php on line 247 Warning: Creating default object from empty value in /home/chiporta/public_html/modules/mod_filterednews/helper.php on line 247 כתבות נוספות בתחום ‫ ‪וזכרונות IPs‬‬ Lite-On מוכרת את עסקי ה-SSD לקיוקסיה תמורת 165 מיליון דולר קיוקסיה הוא השם הסופי של חברת הזכרונות שהוקמה על בסיס החטיבה של טושיבה (ולא פנגיאה כפי שפורסם בתחילה) קרא עוד ‫ ‪וזכרונות IPs‬‬ מיקרון בונה מפעל בסינגפור החברה גם ציינה ששוק הזיכרונות יהיה רגיל יחסית במחצית השנייה של 2019 אחרי היחלשות בביקוש במחצית הראשונה קרא עוד

תגובות (0)

הצג או הסתר תגובות

כתוב תגובה

מייל שם אתר		כותרת תגובה יותר קטן | יותר גדול
		קבלת עדכונים בדואר אלקטרוני - למשתמשים רשומים בלבד קראתי והנני מסכים ל תנאי השימוש באתר העתק תווים מוצגים הוסף תגובה