 |
פורטל תעשיית השבבים בישראל מבית מגזין |
|
בישראל יצור((FABs טאואר-ג'אז ו- Anatrix פיתחו שבב תקשורת RF מוקשח קרינה המאושר למערכות מוטסות
מאמרים פופולרייםWarning: Creating default object from empty value in /home/chiporta/public_html/modules/mod_mostread/helper.php on line 79 Warning: Creating default object from empty value in /home/chiporta/public_html/modules/mod_mostread/helper.php on line 79 Warning: Creating default object from empty value in /home/chiporta/public_html/modules/mod_mostread/helper.php on line 79 Warning: Creating default object from empty value in /home/chiporta/public_html/modules/mod_mostread/helper.php on line 79 חם בפורומיםWarning: Creating default object from empty value in /home/chiporta/public_html/modules/mod_kunenalatest/helper.php on line 220 Warning: Creating default object from empty value in /home/chiporta/public_html/modules/mod_kunenalatest/helper.php on line 220 Warning: Creating default object from empty value in /home/chiporta/public_html/modules/mod_kunenalatest/helper.php on line 220 Warning: Creating default object from empty value in /home/chiporta/public_html/modules/mod_kunenalatest/helper.php on line 220 Warning: Creating default object from empty value in /home/chiporta/public_html/modules/mod_kunenalatest/helper.php on line 220
|
 Warning: Creating default object from empty value in /home/chiporta/public_html/plugins/system/advancedmodules/modulehelper.php on line 320
המתודולוגיות של Anatrix לשבב מוקשח הקרינה מאפשרות ללקוחותיה לתכנן שבבים עמידי קרינה תוך אופטימיזציה בין דרישות העמידות לקרינה (מספר ה"אירועים הבודדים" המותרים) למחיר השבב הסופי המתבטא בשטח השבב הנדרש.
Anatrix הוכיחה בהצלחה עמידות לקרינה של הספריות וה-IP שפיתחה עבור תהליך SiGe CMOS 180nm של טאואר-ג'אז ומרחיבה את הפיתוח לתהליכי 130nm של טאואר-ג'אז. "הטכנולוגיה של טאואר-ג'אז הינה קריטית עבור ההצלחה של תכנית זו; תהליך SiGe BiCMOS איפשר ל- Anatrix להשיג ביצועי RF מצוינים תוך שימוש ברכיבי SiGe HBT ויצר פתרונות אופטימליים וחסכוניים ללקוחות שלנו על ידי שילוב מעגלים אנלוגיים ומעגלי בקרה דיגיטליים בטכנולוגית CMOS" אמר ד"ר גרג פאולס נשיא Anatrix. "השותפות שלנו עם Anatrix ממשיכה לספק פתרונות בתחום הסמיקונדוקטור ברמה עולמית לקוחותינו" אמר מייק סקוט, מנהל היחידה העסקית לתעופה וביטחון בטאואר-ג'אז, ארה"ב. "המומחיות של ד"ר פול וצוותו מועילה מאוד ומיישמת את נקודות החוזק של טכנולוגית ה-SiGe שלנו ומרחב המאפיינים שלה. אנו מצפים לפיתוחי IP מוצלחים נוספים בטכנולוגית 180nm ובפלטפורמת 130nm מאוחר יותר במהלך השנה. " "במהלך שלב הבדיקות ההנדסיות, הלקוחות שלנו השיגו ביצועים חשמליים, מעבר למה שהשיגו בשימוש בחלקים מסחריים. משוב מסוג זה מלקוחות מבטיח שנוכל להמשיך ליצור ולתכנן מוצרים חסיני קרינה ברמה עולמית באמצעות השותפות שלנו עם טאואר-ג'אז ", הוסיף ד"ר פול.
תגובות (0)
 |
שדרת הלוגואים |
|||||||||
 |
בניית אתרים | בעצם גלישתכם באתר הכנם מסכימים לתנאי השימוש בו - לחצו כאן לקריאת תנאי השימוש - כל הזכויות שמורות Chiportal (c) 2010 |
הצג או הסתר תגובות
