Warning: Creating default object from empty value in /home/chiporta/public_html/plugins/system/advancedmodules/modulehelper.php on line 320

טאואר-ג'אז ו- Anatrix פיתחו שבב תקשורת RF מוקשח קרינה המאושר למערכות מוטסות

גרסת הדפסה

tower
לוויין שיכיל את השבב העמיד לקרינה שתייצר טאואר ג'אז עבור אנטריקס. צילום יח"צ
טאואר-ג'אז ו- Anatrix, ספקית שבבים אנאלוגיים מותאמי אפליקציה בתחומי RF ו- Mixed-signal  פיתחו לאחרונה שבב מוקשח קרינה (RadHard)  תוך שימוש בפתרונות תכנון (ספריות) עבור front end RF  במעגל משולב, בתהליך 0.18 מיקרון SiGe Bicmos (SBC18HA) של טאואר-ג'אז,  שהביאו  לביצועים מצוינים ולעמידה בדרישות המחמירות של מערכות מוטסות.
המתודולוגיות של Anatrix לשבב מוקשח הקרינה מאפשרות ללקוחותיה לתכנן שבבים עמידי קרינה תוך אופטימיזציה בין דרישות העמידות לקרינה (מספר ה"אירועים הבודדים" המותרים) למחיר השבב הסופי המתבטא בשטח השבב הנדרש.

 


Anatrix  הוכיחה בהצלחה עמידות לקרינה של הספריות וה-IP שפיתחה עבור תהליך   SiGe CMOS 180nm  של טאואר-ג'אז ומרחיבה את הפיתוח לתהליכי 130nm של טאואר-ג'אז.

 

"הטכנולוגיה של טאואר-ג'אז הינה קריטית עבור ההצלחה של תכנית זו; תהליך SiGe BiCMOS  איפשר ל- Anatrix להשיג ביצועי RF מצוינים תוך שימוש ברכיבי  SiGe HBT  ויצר פתרונות  אופטימליים וחסכוניים  ללקוחות שלנו על ידי שילוב מעגלים אנלוגיים ומעגלי בקרה דיגיטליים בטכנולוגית CMOS" אמר ד"ר גרג פאולס נשיא Anatrix. "השותפות שלנו עם Anatrix ממשיכה לספק פתרונות בתחום הסמיקונדוקטור ברמה עולמית לקוחותינו" אמר מייק סקוט, מנהל היחידה העסקית לתעופה וביטחון בטאואר-ג'אז, ארה"ב. "המומחיות של ד"ר פול וצוותו מועילה מאוד ומיישמת  את נקודות החוזק של טכנולוגית ה-SiGe  שלנו  ומרחב המאפיינים שלה. אנו מצפים לפיתוחי IP מוצלחים נוספים בטכנולוגית 180nm ובפלטפורמת 130nm  מאוחר יותר במהלך השנה. "

 

"במהלך שלב הבדיקות ההנדסיות, הלקוחות שלנו השיגו ביצועים חשמליים, מעבר למה שהשיגו בשימוש בחלקים מסחריים. משוב מסוג זה מלקוחות מבטיח שנוכל להמשיך ליצור ולתכנן מוצרים חסיני קרינה ברמה עולמית באמצעות השותפות שלנו עם טאואר-ג'אז ", הוסיף ד"ר פול.

 

עוד בתחום ייצור - FABS

Warning: Creating default object from empty value in /home/chiporta/public_html/modules/mod_filterednews/helper.php on line 247

Warning: Creating default object from empty value in /home/chiporta/public_html/modules/mod_filterednews/helper.php on line 247

כתבות נוספות בתחום

‫יצור (‪(FABs‬‬
STMicroelectronics תוסיף 1.5 מיליארד דולר להשקעות ההון שלה השנה
בין היתר תשקיע החברה השקעות אסטרטגיות בסכום של 400 מיליון דולר במפעל שלה בהאגרייט; בפרוסות 200 מ"מ ובטכנולוגיות סיליקון קרביד
קרא עוד
‫יצור (‪(FABs‬‬
סמסונג תשקיע למעלה מ-100 מיליארד כדי להתחרות ב-TSMC
לקוחות מדווחים כי סמסונג חתכה את מחירי הייצור כדי למשוך אותם לעזוב את TSMC ולעבור אליה.
קרא עוד