 |
פורטל תעשיית השבבים בישראל מבית מגזין |
|
בישראל יצור((FABs טאואר-ג'אז מתחילות בייצור שבבים לדור הרביעי של המכשירים הסלולאריים בשיתוף פעולה עם לקוח...
מאמרים פופולרייםWarning: Creating default object from empty value in /home/chiporta/public_html/modules/mod_mostread/helper.php on line 79 Warning: Creating default object from empty value in /home/chiporta/public_html/modules/mod_mostread/helper.php on line 79 Warning: Creating default object from empty value in /home/chiporta/public_html/modules/mod_mostread/helper.php on line 79 Warning: Creating default object from empty value in /home/chiporta/public_html/modules/mod_mostread/helper.php on line 79 חם בפורומיםWarning: Creating default object from empty value in /home/chiporta/public_html/modules/mod_kunenalatest/helper.php on line 220 Warning: Creating default object from empty value in /home/chiporta/public_html/modules/mod_kunenalatest/helper.php on line 220 Warning: Creating default object from empty value in /home/chiporta/public_html/modules/mod_kunenalatest/helper.php on line 220 Warning: Creating default object from empty value in /home/chiporta/public_html/modules/mod_kunenalatest/helper.php on line 220 Warning: Creating default object from empty value in /home/chiporta/public_html/modules/mod_kunenalatest/helper.php on line 220
|
 Warning: Creating default object from empty value in /home/chiporta/public_html/plugins/system/advancedmodules/modulehelper.php on line 320
טאואר-ג'אז הודיעה היום כי נבחרה על-ידי חברת VT Silicon האמריקאית לייצר את שבבי ה-RF ליישומים מגוונים עבור מכשירים ניידים בדור הרביעי, העונים על דרישות התפעול המחמירות של ההתקנים הניידים בדור זה. VT Silicon בחרה בתהליך ה-SiGe בטכנולוגיית ה-0.18 מיקרון של טאואר-ג'אז, המאפשר עלויות נמוכות משמעותית ואינטגרציה גבוהה הרבה יותר מטכנולוגית ה-GaAs הקיימת כיום. כמו כן , יכולות התכנון של טאואר-ג'אז יאפשרו תכנון מהיר ויעיל תוך יצירת יתרון בזמן הגעה לשוק. שוק יישומי המכשירים הניידים בדור הרביעי צפוי לצמוח מ-3 מיליארד דולר בשנת 2009 ל-40 מיליארד דולר ב-2012. טכנולוגיית ה-SiGe של טאואר-ג'אז מספקת תכונות משופרות וכן רמות גבוהות יותר של אינטגרציה של פונקציות RF בטלפונים סלולאריים מדור שלישי ורביעי. פלטפורמת ה-SiGe של טאואר-ג'אז, המשלבת טרנזיסטורים ב-200 מגה-הרץ, יחד עם טרנזיסטורים בי-פולאריים ליניאריים וכמובן התקני CMOS, מאפשרת אינטגרציה מלאה של מגברים דלי רעש עם ממתגי אנטנה ומעגלי בקרה על שבב בודד וחוסכת בכך עלויות משמעותיות. טכנולוגיית הSiGe BiCMOS צפויה להחליף את טכנולוגיית ה- GaAsעליה מבוססים כיום התקנים דומים גם בתחום ה-LAN האלחוטי. השבב החדש של VT Silicon מציע את יכולות ה-RF הטובות ביותר הקיימות בעולם כיום, התורמות למקסום חיי הסוללה בדור הבא של ההתקנים הסלולאריים. פריצת דרך זו הושגה לאחר תהליך פיתוח של שנתיים שבוצע על-ידי VT Silicon המאפשר להשיג הספק, יעילות ולינאריות הדרושים עבור התקנים ניידים בדור ה-4G מופעלי סוללות. "על-ידי שימוש בטכנולוגיה הייחודית והמתקדמת של טאואר-ג'אז, הצלחנו להשיג רמות גבוהות יותר של אינטגרציה ופונקציונאליות משופרת בשבבי ה-4G ובו בזמן להפחית עלויות. שימוש בטכנולוגית ה-GaAs המסורתית אינו מאפשר אינטגרציה של רכיבים דיגיטאליים ואנלוגיים מורכבים לשבבי RF המורכבים כמקשה אחת," אמר ויקרם קרישנאמורת'י, סמנכ"ל טכנולוגיות, VT Silicon. "התכנון שלנו, הראשון מסוגו בתעשייה, מנצל את יתרונות התהליך של טאואר-ג'אז במלואן ומאפשר תקשורת דיגיטאלית, תכנות ושליטה מלאה על כל פונקציות ה-RF." "אנו ממשיכים לראות מעבר של מוצרים מבוססי GaAs לטכנולוגיית ה-SiGe. שינוי זה מאפשר הזדמנויות צמיחה מרגשות לטכנולוגיה שלנו כפי שניתן לראות בתכנון פורץ הדרך של VT Silicon עבור התקנים סלולאריים בדור הרביעי," אמר ד"ר מרקו רקנלי, סמנכ"ל בכיר ומנהל קו מוצרי ה-RF. "אנו מצפים להמשיך ולעזור ללקוחותינו לממש את מוצרי הדור הבא החדשניים לא רק על-ידי מינוף טכנולוגיית ה-SiGe שלנו המובילה בתעשייה אלא גם על-ידי שימוש ביכולות התכנון המאפשרות זמן הגעה מהיר לשוק עבור יישומים ניידים חדשים."
תגובות (0)
 |
שדרת הלוגואים |
|||||||||
 |
בניית אתרים | בעצם גלישתכם באתר הכנם מסכימים לתנאי השימוש בו - לחצו כאן לקריאת תנאי השימוש - כל הזכויות שמורות Chiportal (c) 2010 |
הצג או הסתר תגובות
